SiC半導体デバイスの実用化を促進していく上での課題の抽出を行い、解決すべき手段を皆様と一緒に
考えてみたいという趣旨で開催します。是非ご参加ください。

【詳細】http://www.kyoto.jst-plaza.jp/topic/detail/050421/index.htm

■日時：4月21日（木）　講演会　13：30〜17：30
　　　　　　　　　　　　　　 交流会　17：30〜19：00

■場所：（独）科学技術振興機構（JST）研究成果活用プラザ京都　セミナールーム
　 　　　　　　（http://www.kyoto.jst-plaza.jp/access/index.htm）

■内容：詳しくはホームページをご覧ください。
　　13：30〜 　各種講演
　　16：45〜　 SiC関連企業からの技術紹介
　　17：30〜　 交流会

■参加費：無料　（交流会：1,000円）

■定員：70名（先着順）

■申込方法：下記より参加申込書（PDF形式）をダウンロードしていただき、
　　　　　　 　　E-mail（skawashima@kyoto.jst-plaza.jp）またはFAX（075-383-1301）にてお申し込みください。
　　　　＜PDF形式＞
　　 　　　　http://www.kyoto.jst-plaza.jp/topic/detail/050421/form.pdf

■問合せ先：（独）科学技術振興機構 （略称JST）　研究成果活用プラザ京都　科学技術コーディネータ　河島 俊一郎
　　　 　　　　　TEL ： 075-383-1300

■主催：科学技術振興機構　研究成果活用プラザ京都